傳iPhone 16用可存儲4位元容量更大的QLC快閃記憶體

蘋果近期傳出的 iPhone 16 可能將帶來一項大改變，採用密度更高但速度稍慢的 QLC NAND 快閃記憶體技術。這項決策或許是為了在增加儲存容量的同時降低硬體成本，讓更多用戶享受到高容量的 iPhone 體驗。

QLC NAND vs. TLC NAND：技術之爭

根據 DigiTimes 的業內人士透露，蘋果將不再使用傳統的三層單元（TLC）NAND 快閃記憶體，而可能轉向四層單元（QLC）NAND 快閃記憶體，尤其在 1TB 容量以上的 iPhone 16 型號。這項改變帶來的挑戰與優勢不可忽視。

相較於 TLC NAND，QLC NAND 每個儲存單元可儲存四位數據，提高了數據儲存效率，理論上降低了生產成本。然而，這也帶來一些值得注意的犧牲。

雖然 QLC NAND 在容量上有優勢，但相對於 TLC NAND，其可靠性和寫入耐久性稍嫌不足。單元寫入次數增加，使得資料寫入速度下降，可能影響到對效能有較高要求的用戶。

若蘋果最終執行這項計劃，擁有 1TB 儲存容量的 iPhone 16 用戶可能會面臨資料寫入速度略低的情況，相較於低容量用戶。這或許會影響某些對效能要求較高的使用者。

總的來說，TLC NAND 在性能和耐久性上優於 QLC NAND，但隨之而來的成本也相對較高。在選擇上，需根據個人需求做出明智的判斷。

若您追求高性能和耐久性，特別是對 SSD 有較高要求，TLC NAND 是更為合適的選擇。

若您需要更大的容量，且對成本較為敏感，QLC NAND 則是一個不錯的選擇。